這里我們來看一下硅MOS管的迭代。從普通的VDMOS到超結MOS管,超結MOS管自身也在不斷迭代,新一代超結MOS管的芯片面積更小,成本更低,品質因素更好。然而氮化鎵的出現,卻是一個質的飛躍。更別說氮化鎵才剛剛面市,基本上還屬于一代或二代的產品。芯片面積小雖然意味著更低的成本和更高的性價比,但因為前面所說的結殼熱阻問題,芯片面積小,所能承受的持續(xù)電流也會比較小
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