氮化鎵功率器件封裝級(jí)終測(cè)簡(jiǎn)介
時(shí)間：2023-04-13
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分類：技術(shù)文章
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終測(cè)可以剔除在CP過(guò)程中未被發(fā)現(xiàn)的失效器件，以及在封裝過(guò)程中壞掉的器件。終測(cè)是在給客戶出貨前最后一次測(cè)試，以往硅器件只測(cè)試靜態(tài)特性，對(duì)于氮化鎵器件而言，動(dòng)態(tài)特性也需要測(cè)試
üIdss: 漏極漏電流
üVth: 閾值電壓
üRdson: 通態(tài)電阻
üBV: 擊穿電壓
üCrss, Coss, Ciss: 寄生電容
üQg: 門極電荷
ü其他項(xiàng)目
