碳化硅是一種寬禁帶半導體，具備高熱導率，高擊穿場強和高電子報和漂移速率。其中寬禁帶和高熱導率的特性決定了器件能承受住更高的工作結溫。同時高擊穿場強和高電子飽和漂移速率帶來更低的導通和開關損耗。這些優(yōu)勢組合起來，就是更低的損耗和更高的開關頻率，降低對系統(tǒng)散熱要求的同時，減小無源原件（電容，電感，變壓器）的體積和重量，進而大幅縮小整體系統(tǒng)尺寸和重量。
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