氮化鎵功率器件特有的動態(tài)電阻現(xiàn)象源于電流崩塌效應(yīng)。電流崩塌是當(dāng)漏極和門極/源極之間承受了大電壓應(yīng)力后,溝道內(nèi)的熱電子隧穿到AlGaN表面,被柵漏區(qū)之間的表面態(tài)俘獲,這些負(fù)電荷好比在柵漏電極之間存在另一個柵極,也就是形成虛柵,從而使柵耗盡區(qū)橫向擴(kuò)展,減小溝道2DEG濃度。我們在測試漏源極電流的時(shí)候就會出現(xiàn)電流能力下降的現(xiàn)象。這相當(dāng)于通態(tài)電阻(動態(tài)電阻)增大。
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